本书内容以实用性为出发点，阐释了氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体的原理、制造工艺、特性表征、市场现状以及针对关键应用的设计方法。针对GaN器件，从材料特性、芯片设计、制造工艺和外特性各方面深入分析，介绍了仿真手段和各种典型应用，最后还介绍了目前主流的技术和GaN公司。

本书针对后摩尔时代集成电路产业日益严重的功耗问题，介绍芯片功耗、工作电压和场效应晶体管亚阈值特性的关系，并通过解析铁电负电容场效应晶体管陡峭亚阈值特性工作机理，阐明铁电负电容场效应晶体管技术对于突破后摩尔时代功耗瓶颈的关键作用。

本书综合了近几年工业界的最新进展和学术界的最新研究成果，详细介绍并讨论了碳化硅功率器件的基本原理、发展现状与趋势、特性及测试方法、应用技术和各应用领域的方案。本书共分为12章，内容涵盖功率半导体器件基础，SiC二极管的主要特性,SiCMOSFET的主要特性，SiC器件与Si器件特性对比，双脉冲测试技术，SiC器件的测试

《薄膜晶体管材料与技术》是战略性新兴领域“十四五”高等教育教材体系——“先进功能材料与技术”系列教材之一。本书归纳薄膜晶体管（TFT）材料、器件及制备技术，总结和梳理TFT相关的基础理论知识，包括材料物理与化学、器件物理、工艺原理以及实际应用设计原理，进一步提出新见解，为TFT技术的发展提供理论指导和方向参考。本书以T

氧化镓(Ga2O3)具有超宽禁带和高临界击穿场强，可满足电力电子系统高功率(密度)、高效率和小型化发展需求，在航空航天、智能电网等领域应用前景广阔，但器件受限于高耐压和低功耗的矛盾关系，且当前对大功率器件及其热稳定性研究较少。为此，本论文在Ga2O3器件新结构与热稳定性方面开展理论和实验创新研究。本研究为氧化镓功率器件

本书是一本微电子技术方面的入门书籍，全面介绍了半导体器件的基础知识。全书分为三个部分共19章，首先介绍了半导体基础，讲解了半导体物理方面的相关知识以及半导体制备工艺方面的基本概念。书中阐述了pn结、双极结型晶体管（BJT）和其他结型器件的基本物理特性，并给出了相关特性的定性与定量分析。最后，作者讨论了场效应器件，除了讲

本书提供了在各个工艺及系统层次的半导体存储器现状的全面概述。在介绍了市场趋势和存储应用之后，本书重点介绍了各种主流技术，详述了它们的现状、挑战和机遇，并特别关注了可微缩途径。这些述及的技术包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、非易失性存储器(NVM)和NAND闪存。本书还提及了嵌入式存储器

。本册为《半导体工艺原理》，主要内容包括：锗和硅的化学制备与提纯、半导体材料的生长、硅片加工、氧化工艺、薄膜沉积工艺、外延工艺、光刻工艺概述、光刻设备、光刻材料、刻蚀工艺、掺杂工艺等。

本书共8章。其中，第1章介绍Si基GaN材料与芯片的研究意义，着重分析了GaN材料的性质和Si基GaN外延材料与芯片制备的发展历程。第2章从Si基GaN材料的外延生长机理出发，依次介绍了GaN薄膜、零维GaN量子点、一维GaN纳米线和二维GaN生长所面临的技术难点及对应的生长技术调控手段。第3～7章依次介绍了Si基Ga

本教程在简要介绍MOSFET场效应晶体管器件结构和工作原理的基础上，全面叙述了MOSFET基本电学特性和二阶效应；介绍了MOSFET器件模型及建模测试结构和方案设计；给出了MOSFETBSIM模型参数提取流程；介绍了半导体器件SPICE模型建模平台EmpyreanXModel，深入介绍了XModel的基本功能和界面；介