《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管（HEMT）与相关氮化物材料。全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，AlGaN/GaN和InAlN/

《半导体制造技术导论（第2版）》共包括15章，第1章概述了半导体制造工艺；第2章介绍了基本的半导体工艺技术；第3章介绍了半导体器件、集成电路芯片，以及早期的制造工艺技术；第4章描述了晶体结构、单晶硅晶圆生长，以及硅外延技术；第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使

《碲镉汞材料物理与技术》系统地介绍了碲镉汞材料的物理性能、制备工艺技术以及材料与器件的关系。材料的物理性能包括了碲镉汞材料的结构、热学、热力学（相图）、电学、光学和缺陷性能，材料的制备工艺技术包括了材料的生长工艺、热处理工艺和各种检测分析技术以及材料制备工艺所涉及的通用性基础工艺技术，《碲镉汞材料物理与技术》同时也对碲

《中外物理学精品书系·前沿系列15：硅基光电子学》是笔者在微纳光电子领域多年研究和教学基础上完成的，系统描述了硅基光电子学的基础理论、器件原理及应用前景。全书共10章。第1～3章讲述了硅基光电子学的起源及所需的基本知识；第4章介绍了硅基无源器件；第5～8章为硅基有源器件，包括光源、调制器、探测器、表面等离子体激元器件等

本书是高等职业教育应用电子技术专业资源库配套系列教材之一。根据现代电子制造业对表面贴装岗位技术人才的需要，系统介绍了表面贴装技术(SMT)工艺设备的操作与维护技术。全书在编写过程中，融入了企业生产应用案例、行业标准及企业规范，内容按照表面贴装设备岗位技术人员的典型工作任务和表面贴装工艺流程环节的先后顺序共分为六章，包括

本书讲述了改良西门子法生产多晶硅的制备原理，包括多晶硅原料制备、原料提纯、多晶硅制备、尾气回收、硅芯的制备，以及超纯水的制备，氢气、氯气的制备和净化等内容。本教材适用于高职高专、中专、技校硅材料技术专业的师生阅读，也可供多晶硅企业的技术人员参考。

本书主要以异质结双晶体管、高电子迁移率晶体管、共振遂穿电子器件、单电子输运器件、量子结构激光器、量子结构红外探测器和量子结构太阳电池为主,比较系统地分析与讨论了它们的工作原理与器件特性,并对自旋电子器件、单分子器件和量子计算机等内容进行了简单介绍。

《太阳能光伏产业：半导体硅材料基础（第2版）》共分12章，较全面地讲述了有关硅材料的基本知识。内容包括硅材料的发展史与当前的市场状况；半导体材料的基本性质；晶体结构及其结构缺陷；能带理论的基本知识；pn结和金属半导体接触的特性；硅材料的制备；化合物半导体材料的基本特性及用途；硅材料的加工。重点讲述了制备高纯多晶硅的三氯

本书首先回顾了半导体材料的发展史，简述了半导体材料的生长机理和现代半导体材料制备与表征新技术；然后对元素半导体锗、硅单晶材料以及硅基异质结构材料的制备、物性及其在微电子、光伏电池和光电集成方面的应用做了概述；接着介绍以GaAs、InP为代表的Ⅲ-V族化食物单晶衬底材料、趣晶格量子阱、量子线和量子点材料及应用，宽禁带Ga

《电力半导体器件原理与应用》力求从电力半导体器件应用的角度来诠释和分析其基本原理和应用特性。全书共分为8章，第1章主要阐述电力半导体器件的基本功能和用途；第2章介绍半导体器件物理基础，包括半导体与导体、绝缘体，原子中的电子能级，晶体中的能带等；第3章阐述双极型电力半导体器件基本原理，包括单pn结器件及多pn结特性；第4